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图5.三种氧化物的电子DOS.HSE06+SOC计算了BaBiO3、鱼的义Ba2BiNbO6和Ba2BiTaO6的(a-c)DOSs和(d-f)能带结构。Nb和Ta在M位的取代使带隙值增大，天花这是由于CBM处d轨道的参与，使Ba2BiNbO6和Ba2BiTaO6在可见光到红外区表现出较高的光学透明度(85%)。

墙墙Bi6s2衍生的VB电子结构和可调谐的带隙使钙钛矿Ba2BiMO6(M=Bi,Nb,Ta)成为一个非常有吸引力的p型氧化物半导体材料体系。最后，降正Ba2BiMO6制备全钙钛矿氧化物器件的潜力进一步得到了验证，通过实验证明了Ba2BiMO6在±3V下具有高整流率1.3×104的BBTO-NbSTOp-n结二极管。然而，蒸鲈这些氧化物在空穴迁移率(5cm2V−1s−1)或不稳定性方面的改善仍然有限。

钙钛矿具有结构和成分灵活性的优势，鱼的义可以通过掺杂或合金化设计新的多功能材料。导带底部未被占据的Bi6s轨道或Nb/Tad轨道的能量位置发生变化，天花导致带隙变化较大。

墙墙实现高迁移率p型氧化物半导体的困难在于氧化物的电子结构:局域O2p的VB极大值(VBM)导致难以引入浅受体和大空穴有效质量。

降正利用O2p轨道与过渡金属(TM)部分占据的d轨道杂化来调制VB顶部的能带色散是解决低迁移率问题的一种策略。他们都敢冒险，蒸鲈老贾玩生态，蒸鲈玩出七个子系统，从影视、体育、彩电、手机、汽车、视频网站，到金融;老李曾在国际上接连进行汤姆逊彩电和阿尔卡特手机两大并购项目，2009年又斥资百亿元进军面板行业。

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